يختص هذا الجزء من المواصفة القياسية IEC 60749 بالاختبار واختبار التشابك زائد الجهد للدارات المتكاملة. يصنف هذا الاختبار على أنه اختبار إتلافي. يهدف الاختبار إلى تحديد طريقة لتقدير خواص تشابك الدارات المتكاملة وإلى تعريف معايير إخفاق التشابك. تستخدم خواص التشابك في تقدير موثوقية المنتج وتقليل إخفاقات "عدم وجود خلل" (NTF) و"فرط الإجهاد الكهربي" (EOS) بسبب التشابك. تسري طريقة الاختبار أولياً على أجهزة CMOS. يجب إثبات قابلية التطبيق على التقنيات الأخرى. يتحدد تصنيف التشابك كدالة لدرجة الحرارة في الفقرة 3-1 وتتحدد معايير مستوى الإخفاق في 3-2.